Nationell kontrollförteckning |
På denna bilaga tillämpas de allmänna anmärkningar, akronymer och förkortningar samt definitioner som finns i del I i bilaga I till förordningen om exportkontroll (EU) 2021/821.
Grupperingen i bilagan och numreringen av kontrollobjekt följer uppställningen i bilaga I till förordningen om exportkontroll (EU) 2021/821.
Punkt 1
Kategori 0: Kärnmaterial, anläggningar och utrustning
Finns inte.
Punkt 2
Kategori 1: Särskilda material och därtill hörande utrustning
Finns inte.
Punkt 3
Kategori 2: Materialbearbetning
2A System, utrustning och komponenter
Finns inte.
2B Test-, inspektions- och produktionsutrustning
2B901 Följande utrustning för additiv tillverkning som är konstruerad för framställning av metaller eller legeringskomponenter och som har alla följande egenskaper, samt särskilt konstruerade komponenter till dessa:
a. Som har minst en av följande konsolideringskällor:
1. "Laser",
2. Elektronstråle, eller
3. Ljusbåge, och
b. Som har någon av följande kontrollerade processatmosfärer:
1. Inert gas, eller
2. Vakuum (tryck 100 Pa eller mindre), och
c. Som har någon av följande utrustning för 'övervakning under processens gång' i 'koaxiell konfiguration' eller 'paraxiell konfiguration':
1. Bildkamera som har sin maximala känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 380 nm men inte 14 000 nm,
2. Pyrometer som är konstruerad för att mäta temperaturer på över 1 273,15 K (1 000 °C), eller
3. Radiometer eller spektrometer som har sin maximala känslighet inom ett våglängdsområde som överstiger 380 nm men inte 3 000 nm, och
d. Ett sådant styrsystem för ett slutet system som är konstruerat för att ändra konsolideringskällans parametrar, byggstig eller inställningar under byggperioden på grundval av återkoppling från den utrustning för 'övervakning under processens gång' som specificeras i avsnitt 2B901.c.
Teknisk anmärkning: Vid tillämpning av avsnitt 2B901
1. 'Övervakning under processens gång', som även kallas in situ-processövervakning, avser observation och mätning av processen för additiv tillverkning, inklusive elektromagnetisk strålning eller värmestrålning från smältbassängen.
2. 'Koaxiell konfiguration' som även kallas axel- eller diagonalkonfiguration, avser en eller flera sensorer som är installerade på en optisk väg som delas med "laser"-konsolideringskällan.
3. 'Paraxiell konfiguration' avser en eller flera sensorer som är fysiskt installerade på eller integrerade i en komponent i "laser"-, elektronstråls- eller ljusbågskonsolideringskällan.
4. Både i 'koaxiell konfiguration' och 'paraxiell konfiguration' är sensorns eller sensorernas synfält fäst vid konsolideringskällans rörliga referensram och synfältet rör sig längs samma avsökningslinjer som konsolideringskällan under hela byggprocessen.
2C Material
Finns inte.
2D Programvara
Finns inte.
2E Teknik
2E901 "Teknik" i enlighet med den allmänna anmärkningen rörande teknik för "utveckling" av den utrustning som specificeras i avsnitt 2B.
2E902 "Teknik" i enlighet med den allmänna anmärkningen rörande teknik för "produktion" av den utrustning som specificeras i avsnitt 2B.
2E903 "Teknik" som inte specificeras särskilt någon annanstans och som "utvecklar" eller "producerar" 'system för plätering' som har alla följande egenskaper:
a. Konstruerad för att skydda i avsnitt 1C007 i bilaga I till förordning (EU) 2021/821 specificerade keramiska "matris"-"komposit"-material mot korrosion, och
b. Konstruerad för drift i temperaturer på över 1 373,15 K (1 100 °C).
Teknisk anmärkning: Vid tillämpning av avsnitt 2E903 ska ‘systemen för plätering‘ bestå av ett eller flera materialskikt (till exempel bindlager, mellanskikt, skyddsbeläggning) som belägger substratet.
Punkt 4
Kategori 3: Elektronik
3A System, utrustning och komponenter
3A901 Elektroniska produkter enligt följande:
Anmärkning: Integrerade kretsar omfattar följande typer:
- "Monolitiska integrerade kretsar",
- "Integrerade hybridkretsar",
- "Integrerade multikretsar",
- "Integrerade kretsar av filmtyp", inklusive integrerade kretsar av typ kisel på safir,
- "Optiska integrerade kretsar",
- "Tredimensionella integrerade kretsar",
- "Monolitiska integrerade mikrovågskretsar" ("MMIC").
a. Integrerade komplementära metalloxidhalvledarkretsar (CMOS-kretsar) som inte specificeras i avsnitt 3A001.a.2 i bilaga I till förordning (EU) 2021/821 och som är konstruerade för drift i en temperatur på högst 4,5 K.
Teknisk anmärkning: Vid tillämpning av avsnitt 3A901.a används också termerna kryogen CMOS eller kryo-CMOS för integrerade CMOS-kretsar.
b. Parametriska signalförstärkare som har alla följande egenskaper:
1. Konstruerade för drift i en temperatur på mindre än 1 K (-272,15 °C),
2. Konstruerade för att fungera på alla frekvenser som är minst 2 GHz och högst 15 GHz, och
3. Brustalet är lägre (bättre) än 0,015 dB på alla frekvenser som är minst 2 GHz och högst 15 GHz i en temperatur på 1 K (-272,15 °C).
Anmärkning: Parametriska förstärkare omfattar parametriska förstärkare för vandringsvågor (traveling wave parametric amplifier, TWPA).
Teknisk anmärkning: Parametriska förstärkare kallas också kvantbegränsade förstärkare (quantum-limited amplifier, QLA).
c. Integrerade kretsar vars totala överföringshastighet i båda riktningar är minst 600 gigabyte per sekund (GB/s) vid alla ingångar och utgångar samt mellan integrerade kretsar, med undantag för flyktiga minnen, och som har eller kan programmeras med något av följande:
1. En eller flera digitala processorer som utför maskininstruktioner och vars 'totala prestanda' är minst 6 000,
2. En eller flera digitala 'primitiva beräkningsenheter', med undantag för de enheter som deltar i utförandet av maskininstruktioner och som specificeras i avsnitt 3A901.c.1 och vars 'totala prestanda' är minst 6 000,
3. En eller flera analoga 'primitiva beräkningsenheter' vars 'totala prestanda' är minst 6 000, eller
4. Vilken som helst kombination av digitala processorer för integrerade kretsar och 'primitiva beräkningsenheter' där kombinationens sammanräknade 'totala prestanda' i avsnitt 3A901.c.1, 3A901.c.2 och 3A901.c.3 är minst 6 000.
Anmärkning: De integrerade kretsar som specificeras i avsnitt 3A901.c omfattar grafikprocessorer (GPU), tensorprocessorer (TPU), neuroprocessorer, minnesprocessorer, bildprocessorer, textprocessorer, hjälpprocessorer/acceleratorer, adaptiva processorer, fältprogrammerbara logiska kretsar (FPLD) och applikationsspecifika integrerade kretsar (ASIC).
Anmärkning: I fråga om 'digitala datorer' och 'elektroniska sammansättningar' som innehåller de integrerade kretsar som specificeras i avsnitt 3A901.c, se avsnitt 4A902 i denna bilaga.
Teknisk anmärkning: Vid tillämpning av avsnitt 3A901.c
1. 'Total prestanda' ('TPP') avser bitlängd per räkneoperation multiplicerad med den prestanda som uppmätts i tera-operationer (1012) per sekund (TOPS) i alla processorer i den integrerade kretsen. Till exempel när den integrerade kretsen har två digitala processorer där båda processorernas effekt är 200 tera-operationer per sekund per 16 bit, är dess 'TPP' 6 400 (2 processorer × 200 TOPS × 16 bit = 6 400). I avsnitt 3A901.c.3 är 'TPP' för varje analog 'primitiv beräkningsenhet' prestandan uttryckt i tera-operationer per sekund multiplicerat med 8.
2. 'Primitiv beräkningsenhet' avser en enhet som innehåller noll eller flera modifierbara viktkoefficienter där det finns en eller flera ingångar och en eller flera utgångar. Beräkningsenheten anses utföra 2N-1 räkneoperationer alltid när en utgång uppdateras utifrån N ingångar, och varje sådan vikt i processorelementet som ska modifieras räknas som en utgång. Varje ingång, vikt och utgång kan vara en analog signalnivå eller ett skalärt digitalt värde som beskrivs med hjälp av en eller flera bitar. Sådana enheter är
- Artificiella neuroner
- Multiplicera/ackumuleraenheter (MAC-enheter)
- Flyttalsenheter (FPU)
- Analoga multiplikatorenheter
- Processorer som använder memristorer, spinntronik eller magnonik
- Processorer som använder fotonik eller icke-linjär optik
- Processorer som använder analoga eller icke-flyktiga viktkoefficienter i flera nivåer
- Processorer som använder flernivåminnen eller analoga minnen
- Pluralistiska enheter eller flernivåenheter
- Spikande (artificiella) neuroner
3. Räkneoperationer som är väsentliga för beräkningen av TOPS är både beräkningar av skalära tal och skalära delar av kompositberäkningar, såsom vektorberäkningar, matrisberäkningar och tensorberäkningar. Skalära beräkningar är heltalsoperationer, flyttalsoperationer (som ofta mäts som flyttalsoperationer per sekund, FLOPS), beräkningar av fixpunkter och bitoperationer.
4. TOPS-hastigheten är det högsta teoretiskt sett möjliga värdet när alla processorer körs samtidigt. TOPS-hastigheten och den sammanräknade överföringshastigheten i båda riktningar antas vara det högsta värde som tillverkaren anger för chipet i en manual eller broschyr.
5. Bitlängden för beräkningen är lika stor som den största bitlängden för någon av ingångarna eller utgångarna i samma beräkning. Om processorn är konstruerad för beräkningar som ger olika bitar × TOPS-värden ska dessutom det högsta värdet för bitar × TOPS användas.
6. TOPS-värdena för processorer som processar glesa och täta matriser är processvärdena för täta matriser (till exempel utan gleshet).
3A903 Kryogena kylsystem och komponenter till dem, enligt följande:
a. System som är dimensionerade för att producera en kyleffekt på minst 600 µW i en temperatur på högst 0,1 K (-273,05 °C) i mer än 48 timmar,
b. Tvåfasiga pulse tube-kryokylare som är dimensionerade för att hålla en temperatur på under 4 K (-269,15 °C) och producera en kyleffekt på minst 1,5 W i en temperatur på högst 4,2 K (-268,95 °C).
3B Test-, inspektions- och produktionsutrustning
3B901 Utrustning konstruerad för tillverkning av halvledarenheter eller material, enligt följande, och för dessa utrustningar speciellt konstruerade komponenter och tillbehör:
a. Utrustning som är konstruerad för torretsning och som har någon av följande egenskaper:
1. Utrustning som är konstruerad eller modifierad för isotropisk torretsning och vars största kisel-germanium-kisel (SiGe:Si) etsningsselektivitet är minst 100:1, eller
2. Utrustning som är konstruerad eller modifierad för anisotropisk torretsning och som har alla följande egenskaper:
a. En eller flera radiofrekventa kraftkällor vars radiofrekventa pulsade uteffekts pulsantal är minst ett,
b. En eller flera snabba gasväxlingsventiler med en växlingshastighet på mindre än 300 millisekunder, och
c. Elektrostatisk chuck som har tjugo eller flera separat kontrollerbara flextemperaturdelar.
Anmärkning 1: Avsnitt 3B901.a omfattar etsning som utförs med 'radikaler', joner, sekventiella reaktioner eller icke-sekventiella reaktioner.
Anmärkning 2: Den torretsning som avses i avsnitt 3B901.a.2 kan vara etsning där det vid utförandet har använts plasma som exciterats med en radiofrekvenspuls, plasma som exciterats med hjälp av en pulskvot, plasma som modifierats med pulsspänning på elektroder, plasma förenat med periodisk injektering och avgasning, eller etsning av atomskikt med hjälp av plasma eller etsning av kvasi-atomskikt med hjälp av plasma.
Teknisk anmärkning 1: Vid tillämpning av avsnitt 3B901.a ska en germaniumhalt på minst 30 procent (Si0.70Ge0.30) användas när kisel-germanium-kisel (SiGe:Si) etsningsselektiviteten mäts.
Teknisk anmärkning 2: Vid tillämpning av avsnitt 3B901.a har 'radikal' definierats som atomer, molekyler eller joner som har en udda elektron i en öppen elektronkonfiguration.
b. 'EUV'-masker och 'EUV'-mastermasker som är konstruerade för integrerade kretsar och som inte specificeras i avsnitt 3B001.g i bilaga I till förordning (EU) 2021/821 och som har mask"skivor" som specificeras i avsnitt 3B001.j i bilaga I till förordning (EU) 2021/821.
Teknisk anmärkning 1: 'EUV' ('Extremt ultraviolett') avser att det elektromagnetiska spektrumet har våglängder som är större än 5 nm och mindre än 124 nm.
Teknisk anmärkning 2: Vid tillämpning av avsnitt 3B901.b ska masker och mastermasker som försetts med skyddsöverdrag betraktas som masker och mastermasker.
3B902 Svepelektronmikroskoputrustning (SEM-utrustning) som är konstruerad för att generera bilder av halvledarutrustning eller integrerade kretsar och som har alla följande egenskaper:
a. Noggrannheten vad gäller sampelplattformens placering är mindre (bättre) än 30 nm,
b. Laserinterferometri används för att mäta sampelplattformens positionering,
c. Kalibreringen av positioneringen i synfältet baserar sig på ett laserinterferometer längdmått,
d. Samlar in och sparar bilder som har mer än 2 x 108 pixlar,
e. Synfältsöverlappningen är mindre än 5 procent vertikalt och horisontellt,
f. Överlappningen vad gäller synfältets övergångsområde är mindre än 50 nm, och
g. Accelerationsspänningen är mer än 21 kV.
Anmärkning 1: Avsnitt 3B902 omfattar SEM-utrustning som är konstruerad för att återställa kretsmönster från mikroskopfoton.
Anmärkning 2: Avsnitt 3B902 omfattar inte SEM-utrustning som är konstruerad för att ta emot en standardenlig Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) inkapslad wafer, såsom en 200 mm eller större Front Opening Unified Pod (FOUP)-kapsel.
3B903 Sådan kryogen utrustning för testning av wafers som har alla följande egenskaper:
1. Konstruerad för testning av utrustning i temperaturer på högst 4,5 K (-268,65 °C), och
2. Konstruerad för wafers vars diameter är minst eller lika med 100 mm.
3C Material
3C901. Epitaxiella material som består av ett "substrat" som har minst ett epitaxiellt tillvuxet lager av något av följande:
a. Kisel som innehåller mindre än 0,08 procent andra kiselisotoper än kisel-28 eller kisel-30 som isotopiska föroreningar, eller
b. Germanium som innehåller mindre än 0,08 procent andra germaniumisotoper än germanium-70, germanium-72, germanium-74 eller germanium-76 som isotopiska föroreningar.
3C902. Sådana fluorider, hydrider eller klorider av kisel och germanium som består av något av följande:
a. Kisel som innehåller mindre än 0,08 procent andra kiselisotoper än kisel-28 eller kisel-30 som isotopiska föroreningar, eller
b. Germanium som innehåller mindre än 0,08 procent andra germaniumisotoper än germanium-70, germanium-72, germanium-74 eller germanium-76 som isotopiska föroreningar.
3C903. Kisel, kiseloxider, germanium eller germaniumoxider som består av något av följande:
a. Kisel som innehåller mindre än 0,08 procent andra kiselisotoper än kisel-28 eller kisel-30 som isotopiska föroreningar, eller
b. Germanium som innehåller mindre än 0,08 procent andra germaniumisotoper än germanium-70, germanium-72, germanium-74 eller germanium-76 som isotopiska föroreningar.
Anmärkning: Avsnitt 3C903 omfattar "substrat", stycken, tackor, stavar och skivor.
3DProgramvara
3D901 "Programvara" som är konstruerad för att från SEM-bilder extrahera layoutdata enligt "GDSII"- standarden eller en motsvarande standard och för att utifrån SEM-bilder utföra nivåjustering och producera flernivådata enligt "GDSII"- standarden eller en lista över kretsnät.
Anmärkning: "GDSII"-standarden ("Graphic Design System II") är ett databasfilformat för datautbyte avseende ritningar över integrerade kretsar eller integrerade kretskort.
3D902 "Programvara" som är särskilt konstruerad för "användning" av den utrustning som specificeras i avsnitt 3B901.a.
3D903 "Programvara" som är särskilt konstruerad för "utveckling" eller "produktion" av den utrustning som specificeras i avsnitt 3A901.b eller 3B.
3E Teknik
Teknisk anmärkning: En 'processdesignsats' ('PDK') är en programvara som tillhandahålls av en halvledartillverkare för att säkerställa att gällande praxis och regler för design beaktas så att det framgångsrikt kan produceras en särskild integrerad kretskonstruktion i en särskild halvledarprocess, i enlighet med tekniska och tillverkningsmässiga krav (alla tillverkningsprocesser för halvledare har sin egen 'processdesignsats').
3E901 "Teknik" i enlighet med den allmänna anmärkningen rörande teknik för "utveckling" eller "produktion" av den utrustning och de material som specificeras i avsnitt 3A, 3B eller 3C.
Anmärkning: Avsnitt 3E901 omfattar inte 'processdesignsatser' ('PDK') om de inte omfattar bibliotek som genomför funktioner eller tekniker för föremål som specificeras i avsnitt 3A901.
3E902 "Teknik" enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för "utveckling" eller "produktion" av integrerade kretsar eller integrerad utrustning med användning av gate-all-around-fälteffekttransistorstrukturer (GAAFET).
Anmärkning 1: 3E902 omfattar 'processanvisningar'.
Anmärkning 2: 3E902 omfattar inte besiktning eller underhåll av verktyg.
Anmärkning 3: 3E902 omfattar inte 'processdesignsatser', om de inte omfattar bibliotek som genomför funktioner eller tekniker för föremål som specificeras i avsnitt 3A001 i bilaga I till förordning (EU) 2021/821 eller avsnitt 3A901 i denna bilaga.
Teknisk anmärkning: 'Processanvisning' avser en uppsättning villkor och parametrar för en viss del av en process.
Punkt 5
Kategori 4: Datorer
4A System, utrustning och komponenter
4A901 Följande kvantdatorer och därmed sammanhörande "elektroniska sammansättningar", och särskilt konstruerade komponenter till dessa:
a. Kvantdatorer enligt följande:
1. Kvantdatorer som stöder minst 34, men mindre än 100, 'fullständigt kontrollerade', 'anslutna' och 'fungerande' 'fysiska kvantbitar' och vars 'C-NOT-fel' är högst 10-4,
2. Kvantdatorer som stöder minst 100, men mindre än 200, 'fullständigt kontrollerade', 'anslutna' och 'fungerande' 'fysiska kvantbitar' och vars 'C-NOT-fel' är högst 10-3,
3. Kvantdatorer som stöder minst 200, men mindre än 350, 'fullständigt kontrollerade', 'anslutna' och 'fungerande' 'fysiska kvantbitar' och vars 'C-NOT-fel' är högst 2 x 10-3,
4. Kvantdatorer som stöder minst 350, men mindre än 500, 'fullständigt kontrollerade', 'anslutna' och 'fungerande' 'fysiska kvantbitar' och vars 'C-NOT-fel' är högst 3 x 10 -3,
5. Kvantdatorer som stöder minst 500, men mindre än 700, 'fullständigt kontrollerade', 'anslutna' och 'fungerande' 'fysiska kvantbitar' och vars 'C-NOT-fel' är högst 4 x 10-3,
6. Kvantdatorer som stöder minst 700, men mindre än 1 100, 'fullständigt kontrollerade', 'anslutna' och 'fungerande' 'fysiska kvantbitar' och vars 'C-NOT-fel' är högst 5 x 10-3,
7. Kvantdatorer som stöder minst 1 100, men mindre än 2 000, 'fullständigt kontrollerade', 'anslutna' och 'fungerande' 'fysiska kvantbitar' och vars 'C-NOT-fel' är högst 6 x 10-3,
8. Kvantdatorer som stöder minst 2 000 'fullständigt kontrollerade', 'anslutna' och 'fungerande' 'fysiska kvantbitar',
b. Kvantbitutrustning och kvantbitkretsar som innehåller eller stöder uppsättningar av 'fysiska kvantbitar' och som är särskilt konstruerade för de produkter som specificeras i avsnitt 4A901.a,
c. Kvantkontrollkomponenter och kvantmätutrustning som är särskilt konstruerade för de produkter som specificeras i avsnitt 4A901.a.
Anmärkning 1: Avsnitt 4A901 omfattar kretsmönster (eller portbaserade) och enkelriktade (eller beräkningsbaserade) kvantdatorer. Detta avsnitt omfattar inte adiabatiska kvantdatorer (så kallade kvantglödgningsdatorer).
Anmärkning 2: De produkter som specificeras i avsnitt 4A901 innehåller inte nödvändigtvis fysiskt kvantbitar. Till exempel kvantdatorer som baserar sig på fotonik innehåller inte permanent någon fysiskt enhet som kan identifieras som en kvantbit. Fotoniska kvantbitar uppstår i stället när datorn är i drift varefter de förstörs.
Anmärkning 3: De produkter som specificeras i avsnitt 4A901.b är halvledande, supraledande och fotoniska kvantbitchip och uppsättningar av kvantbitchip, uppsättningar av ytjonfällor, annan teknik som isolerar kvantbitar och koherenta gränssnitt för sådana produkter.
Anmärkning 4: Avsnitt 4A901.c omfattar produkter som är konstruerade för kalibrering, initiering, manipulation eller mätning av stationära kvantbitar i en kvantdator.
Teknisk anmärkning: Vid tillämpning av avsnitt 4A901
1. 'Fysisk kvantbit' är ett kvantsystem i två nivåer som används för att representera kvantlogikens grundläggande enhet genom manipulationer och mätningar som inte är felkorrigerade. 'Fysiska kvantbitar' skiljer sig från logiska kvantbitar på så sätt att logiska kvantbitar är felkorrigerade kvantbitar som består av flera 'fysiska kvantbitar'.
2. 'Fullständigt kontrollerade' innebär att en 'fysisk kvantbit' kan kalibreras, initieras, förses med portar och avläsas vid behov.
3. 'Anslutna' innebär att ett kvantbitpars portoperationer kan utföras med ett slumpmässigt bildat par av vilka som helst av de tillgängliga 'fungerande' 'fysiska kvantbitarna'. Detta innebär inte nödvändigtvis alla de kombinationer som är möjliga.
4. 'Fungerande' innebär att en 'fysisk kvantbit' utför beräkningar med universell kvantdatorteknik i enlighet med den kvantbitoperationsnoggrannhet som fastställts för systemet.
5. Att minst 34 'fullständigt kontrollerade', 'anslutna', 'fungerande' 'fysiska kvantbitar' stöds innebär kvantdatorns förmåga att isolera, hantera, mäta och processa kvantinformation som ingår i minst 34 'fysiska kvantbitar'.
6. 'C-NOT-fel' är det genomsnittliga fysiska portfelet för de kontrollerade NOT-portar (controlled NOT, C-NOT) som bildas av de två närmaste 'fysiska kvantbitarna'.
4A902 Datorer, "elektroniska sammansättningar" och komponenter med en eller flera integrerade kretsar som beskrivs i avsnitt 3A901.c.
Teknisk anmärkning: Vid tillämpning av avsnitt 4A902 är datorer "digitala datorer", hybriddatorer och analoga datorer.
4B Test-, inspektions- och produktionsutrustning
Finns inte.
4C Material
Finns inte.
4DProgramvara
4D901. "Programvara" som är särskilt konstruerad eller modifierad för "utveckling" eller "produktion" av produkter som specificeras i avsnitt 4A901.b eller 4A901.c.
4ETeknik
4E901. "Teknik" enligt den allmänna anmärkningen rörande teknik för "utveckling" eller "produktion" av de produkter som specificeras i avsnitt 4A901.b, 4A901.c eller 4D901.
4E902 "Teknik" i enlighet med den allmänna anmärkningen rörande teknik för "utveckling", "produktion" eller "användning" av den utrustning eller de "programvaror" som specificeras i avsnitt 4A902.
Punkt 6
Kategori 5: Telekommunikation och "informationssäkerhet"
Finns inte.
Punkt 7
Kategori 6: Sensorer och lasrar
Finns inte.
Punkt 8
Kategori 7: Navigation och avionik
Finns inte.
Punkt 9
Kategori 8: Marint
Finns inte.
Punkt 10
Kategori 9: Rymd och framdrivning
Finns inte.